Dev manyetodirenç (GMR) etkisi, harici bir manyetik alan altında manyetik malzemelerin elektrik direnresistiönemli bir değişiklik anlamına gelir. Bu kuantum mekanik fenomeni, alternatif ferromanyetik ve ferromanyetik olmayan katmanlardan oluşan katmanlı ince film yapılarında oluşur. Ferromanyetik katmanların manyetik anları paralel olarak hizalandığında, şarj taşıyıcılarının spin bağımlı saçılması en aza indirilir ve bu da en düşük dirence neden olur. Tersine, manyetik anlar anti-paralel olduğunda, spin bağımlı saçılma en yüksek dirence yol açar.
EN
jp 
ko 
fr 
de 
es 
tr 
ru 
pt 
ar 
vi 
